钙钛矿镀膜设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作，广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。
- 样品位于真空室上方，蒸发源位于真空室下方，向上蒸发镀膜，且蒸发源带有挡板装置。
- 设有烘烤加热功能，可在镀膜过程中加热样品，最高烘烤加热温度为180℃。
- 设有断水、断电连锁保护报警装置及防误操作保护报警装置。
| 技术参数 |
| 镀膜室 | 不锈钢材料，采用方形前后开门结构，内带有防污板，腔室尺寸约为600mm×450mm×450mm |
| 真空排气系统 | 采用分子泵+机械泵系统 |
| 真空度 | 镀膜室极限真空≤6×10-4Pa |
| 系统漏率 | ≤1×10-7Pa |
| 蒸发源 | 安装在真空室的下底上；有机蒸发源4个、容积5ml，2台蒸发电源，可测温、控温，加热温度400℃，功率0.5KW；无机蒸发源4套、容积5ml，2台蒸发电源，加热电流300A，功率3.2KW；蒸发源挡板采用自动磁力控制方式控制其开启 |
| 样品架 | 安装在真空室的上盖上，可放置Ø120mm的样品、载玻片，旋转速度0-30rpm |
| 加热温度 | RT-180℃，测温、控温 |
| 膜厚控制仪 | 石英晶振膜厚控制仪，膜厚测量范围0-999999Å |
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